Schindelmodule

Fraunhofer ISE hat Klebeverfahren für Schindeltechnologie entwickelt

Das Fraunhofer-Institut für Solare Energiesysteme ISE in Freiburg arbeitet seit einiger Zeit an der Entwicklung von Schindelmodulen für die industrielle Produktion. Mit einem Klebeverfahren soll nun der Durchbruch der Solar-Schindeln gelingen.

Das Fraunhofer ISE arbeitet an der Weiterentwicklung von Schindelmodulen.

Ein Klebeverfahren zur Verschaltung von Silicium-Solarzellen für die industrielle Produktion von Schindelmodulen hat das Fraunhofer-Institut für Solare Energiesysteme ISE in Freiburg entwickelt. Aufgrund von mechanischen Spannungen können Schindelzellen nicht konventionell verlötet werden. Durch die Klebetechnologie sollen nun zuverlässige und robuste Schindelstrings hergestellt werden können. Der Klebstoff kann die thermische Ausdehnung des Modulglases bei wechselnden Umgebungstemperaturen ausgleichen und ist außerdem bleifrei.

Technologie wird marktreif

Der Stringer stammt dabei vom Unternehmen teamtechnik Maschinen und Anlagen mit Sitz in Freiberg am Neckar. Dieser Stringer appliziert den elektrisch leitfähigen Klebstoff im Siebdruckverfahren und verschaltet die Zellstreifen mit hoher Präzision. Achim Kraft, Teamleiter Verbindungstechnologie am Fraunhofer ISE, ist zuversichtlich: "Ästhetik und die hohe Leistungsdichte werden die Schindeltechnologie vor allem in der Automobilbranche und der Gebäudeintegration vorantreiben. Europäische Modulhersteller fragen vermehrt nach anwendungsspezifischen Entwicklungen und Technologiebewertungen für geschindelte Solarzellen."

Die Schindeltechnik ist dabei nicht neu, sie wurde bereits in den 60er Jahren erfunden. Damals waren die Kosten für Silicium-Zellen aber noch zu teuer, weshalb die Schindeltechnologie erst jetzt industrielle Marktreife erlangt. Durch das Schindeln werden Zell-Zwischenräume vermieden, so dass sich die Modulfläche maximal für die Energieerzeugung nutzen lässt und ein homogenes, ästhetisches Gesamtbild entsteht. Die Effizienz der Module steigt dadurch stark an. Das liegt zum einen an der größeren aktiven Modulfläche, zum anderen entstehen keine Verschattungsverluste durch aufliegende Zellverbinder. Auch die Widerstandsverluste sind durch niedrigere Stromstärken in den Zellstreifen geringer. 

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